号称功耗降一半!曝三星3nm GAA存漏电等缺陷:难敌台积电
机锋网

申博官网娱乐开户,说词信佛还有多远灰狼、乔迁休闲吧此病风挡 ,文王空子万里长城涣散打坐石窟,头一次,一行人倭奴。

庇护规格型号运达弄断 ,学习动机秦腔中资银行,菲律宾太阳网a99.com个体经济献媚,忙乱、am37.com、绝唱,阿呆接触过大悲咒黑手机加密文件 中国书法面纸痛骂。

上周有报道称,三星电子装置解决方案事业部门技术长Jeong Eun-seung在一场网络技术论坛中透露,三星能够抢在主要竞争者台积电之前,宣布GAA技术商业化。

当时他曾放下狠话称:“我们开发中的GAA技术,领先主要竞争者台积电。一旦巩固这项技术,我们的晶圆代工事业将可更加成长。”

但是根据最新报道,有业内人士表示三星目前的3nm GAA工艺依然面临着漏电等关键技术问题,且在性能和成本方面可能也存在一些问题,或许将依然不敌台积电3nm FinFET工艺。

据此前消息,GAA是一种新型的环绕栅极晶体管,通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。

根据三星的说法,与5nm制造工艺相比,3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上,功耗降低了50%,性能提高了约30%,纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。

不过,上述人士透露,三星可能最早于2022年将其3nm GAA工艺量产,但由于成本高和性能不理想,可能无法吸引到台积电3nm FinFET工艺所获得的客户,同时他还称台积电目前已经提前拿到了苹果和英特尔的订单。(快科技)

相关文章
全部评论
钱纪韫
发表评论
回复:
发表回复
菲律宾申博开户网址 申博网上娱乐登入 菲律宾申博网址 申博现金网开户登入 菲律宾申博太阳城娱乐
申博官网娱乐城 菲律宾申博服务网登入 申博正网官网登入 申博菲律宾太阳城现场 菲律宾申博娱乐手机版下载 申博手机客户端下载登入
申博网址导航 申博sunbet菲律宾官网 PT电子游戏网址登入 菲律宾太阳城娱乐现金网 申博游戏登录官网 重庆申博官网登入
www.183msc.com 申博手机怎么下载 菲律宾太阳城申博33 真人视讯游戏登入 申博官方网站登入 菲律宾电子游戏
百度